Код

Типономинал

Фирма

Функ

ция

Особенности

Цоколевка

1

2

3

W6

BZX84C3V3

CENTS

DZ

V_Z(I_ZT=5_MA)=3.1...3.5B; I_L(V_R =1.0B)<5.0мкА; Z_ZT(I_ZT=5_MA)<95OM; I_ZM<76мА

A

nc

K

W7

BZX84C3V6

CENTS

DZ

V_Z(I_ZT=5_MA)=3.4...3.8B; I_L(V_R =1.0B)<5.0мкА; Z_ZT(I_ZT=5_MA)<90OM; I_ZM<69мА

A

nc

K

W74

BAW74

ZETEX

2xDI

V_R<50B; I_F<150_MA;V_F(I_F =100_MA)<1.0B; I_R<0.1мкА; C_D<2.0пФ; t_RR<4нc

A1

A2

K1

K2

W8

BZX84C3V9

CENTS

DZ

V_Z(I_ZT=5_MA)=3.7...4.1B; I_L(V_R =1.0B)<3.0мкА; Z_ZT(I_ZT=5_MA)<90OM; I_ZM<64мА

A

nc

K

W9

BZX84C4V3

CENTS

DZ

V_Z(I_ZT=5_MA)=4.0...4.6B; I_L(V_R =1.0B)<3.0мкА; Z_ZT(I_ZT=5_MA)<90OM; I_ZM<58мА

A

nc

K

WCs

BCR133

SIEM

D-NPN

V_CB0=50B;I_C=100_MA; P_D=200мВт; h₂₁>30; f_T>130МГц

B

E

C

WDs

BCR141

SIEM

D-NPN

V_CB0=50B;I_C=100_MA; P_D=200мВт; h₂₁>50; f_T>130МГц

B

E

C

Wes

BCR148

SIEM

D-NPN

V_CB0=50B;I_C=70_MA; P_D=200мВт; h₂₁>70; f_T>100МГц

B

E

C

WFs

BCR112

SIEM

D-NPN

V_CB0=50B;I_C=100_MA; P_D=200мВт; h₂₁>20; f_T>140МГц

B

E

C

WGs

BCR116

SIEM

D-NPN

V_CB0=50B;I_C=100_MA; P_D=200мВт; h₂₁>70; f_T>160МГц

B

E

C

WHs

BCR108

SIEM

D-NPN

V_CB0=50B;I_C=100_MA; P_D=200мВт; h₂₁>70; f_T>170МГц

B

E

C

Wis

BCR158

SIEM

D-PNP

V_CB0=-50B;I_C=-100_MA; P_D=200мВт; h₂₁>70; f_T>200МГц

B

E

C

WJs

BCR135

SIEM

D-NPN

V_CB0=50B;I_C=100_MA; P_D=200мВт; h₂₁>70; f_T>150МГц

B

E

C

WKs

BCR119

SIEM

D-NPN

V_CB0=50B;I_C=100_MA; P_D=200мВт; h₂₁=120...630; f_T>150МГц

B

E

C

WLs

BCR146

SIEM

D-NPN

V_CB0=50B;I_C=70_MA; P_D=200мВт; h₂₁>50; f_T>150МГц

B

E

C

WMs

BCR183

SIEM

D-PNP

V_CB0=-50B;I_C=-100_MA; P_D=200мВт; h₂₁>30; f_T>200МГц

B

E

C

WNs

BCR185

SIEM

D-PNP

V_CB0=-50B;I_C=-100_MA; P_D=200мВт; h₂₁>70; f_T>200МГц

B

E

C

WOs

BCR191

SIEM

D-NPN

V_CB0=-50B;I_C=-100_MA; P_D=200мВт; h₂₁>50; f_T>200МГц

B

E

C

WRs

BCR198

SIEM

D-PNP

V_CB0=-50B;I_C=-70_MA; P_D=200мВт; h₂₁>70; f_T>190МГц

B

E

C

WSs

BCR169

SIEM

D-PNP

V_CB0=-50B;I_C=-100_MA; P_D=200мВт; h₂₁=120...630; f_T>200МГц

B

E

C

WTs

BCR166

SIEM

D-PNP

V_CB0=-50B;I_C=-100_MA; P_D=200мВт; h₂₁>70; f_T>160МГц

B

E

C

WUs

BCR162

SIEM

D-PNP

V_CB0=-50B;I_C=-100_MA; P_D=200мВт; h₂₁>20; f_T>200МГц

B

E

C

WVs

BCR129

SIEM

D-NPN

V_CB0=50B;I_C=100_MA; P_D=200мВт; h₂₁=120...630; f_T>150МГц

B

E

C

WW7

CMPZDA3V6

CENTS

2xDZ

V_Z(I_ZT=5.0_MA)=3.4...3.8B; I_L(V_R =1.0B)<2.0мкА; Z_ZT(I_ZT=5.0_MA)<95OM; I_ZM=45мА

K2

K1

A2

A1

WW8

CMPZDA3V9

CENTS

2xDZ

V_Z(I_ZT=5.0_MA)=3.7...4.1B; I_L(V_R =1.0B)<2.0мкА; Z_ZT(I_ZT=5.0_MA)<90OM; I_ZM=43мА

K2

K1

A2

A1

WW9

CMPZDA4V3

CENTS

2xDZ

V_Z(I_ZT=5.0_MA)=4.0...4.6B; I_L(V_R =1.0B)<1.0мкА; Z_ZT(I_ZT=5.0_MA)<9OM; I_ZM=40мА

K2

K1

A2

A1

WXs

BCR196

SIEM

D-PNP

V_CB0=-50B;I_C=-70_MA; P_D=200мВт; h₂₁>50; f_T>150МГц

B

E

C

WZs

BCR142

SIEM

D-NPN

V_CB0=50B;I_C=100_MA; P_D=200мВт; h₂₁>70; f_T>150МГц

B

E

C

  X1s

BFT93

SIEM

D-PNP

V_CB0=-15B;I_C=-35_MA; P_D=300мВт; h₂₁>20; f_T>5500МГц

B

E

C

XAs

BCR503

SIEM

D-NPN

V_CB0=50B;I_C=500_MA; P_D=330мВт; h₂₁>40; f_T>100МГц

B

E

C

XBs

BCR553

SIEM

D-PNP

V_CB0=-50B;I_C=-500_MA; P_D=330мВт; h₂₁>40; f_T>150МГц

B

E

C

XCs

BCR533

SIEM

D-NPN

V_CB0=50B;I_C=500_MA; P_D=330мВт; h₂₁>70; f_T>100МГц

B

E

C

XDs

BCR555

SIEM

D-PNP

V_CB0=-50B;I_C=-500_MA; P_D=330мВт; h₂₁>70; f_T>150МГц

B

E

C

XFs

BCR512

SIEM

D-NPN

V_CB0=50B;I_C=500_MA; P_D=330мВт; h₂₁>60; f_T>100МГц

B

E

C

XGs

BCR523

SIEM

D-NPN

V_CB0=50B;I_C=500_MA; P_D=330мВт; h₂₁>70; f_T>100МГц

B

E

C

XHs

BCR573

SIEM

D-PNP

V_CB0=-50B;I_C=-500_MA; P_D=330мВт; h₂₁>70; f_T>150МГц

B

E

C

XKs

BCR519

SIEM

D-NPN

V_CB0=50B;I_C=500_MA; P_D=330мВт; h₂₁=120...630; f_T>100МГц

B

E

C

XLs

BCR569

SIEM

D-PNP

V_CB0=-50B;I_C=-500_MA; P_D=330мВт; h₂₁=120...630; f_T>150МГц

B

E

C

XMs

BCR583

SIEM

D-PNP

V_CB0=-50B;I_C=-500_MA; P_D=330мВт; h₂₁>70; f_T>150МГц

B

E

C

XUs

BCR562

SIEM

D-PNP

V_CB0=-50B;I_C=-500_MA; P_D=330мВт; h₂₁>60; f_T>150МГц

B

E

C

XVs

BCR521

SIEM

D-NPN

V_CB0=50B;I_C=500_MA; P_D=330мВт; h₂₁>20; f_T>100МГц

B

E

C

XWs

BCR505

SIEM

D-NPN

V_CB0=50B;I_C=500_MA; P_D=330мВт; h₂₁>70; f_T>100МГц

B

E

C

XXs

BCR571

SIEM

D-PNP

V_CB0=-50B;I_C=-500_MA; P_D=330мВт; h₂₁>20; f_T>150МГц

B

E

C

Y1

BZX84C11

ALLEG

DZ

V_Z(I_ZT=5_MA)=10.4...11.6B; I_L(V_R=8.0B)<0.1мкА; Z_ZT(I_ZT=5_MA)<20O_M

A

nc

K

Y1

BZX84C11

CENTS

DZ

V_Z(I_ZT=5_MA)=10.4...11.6B; I_L(V_R=8.0B)<0.1мкА; Z_ZT(I_ZT=5_MA)<20O_M; I_ZM<23мА

A

nc

K

Y1

BZX84C11

VISH

DZ

V_Z(I_ZT=5_MA)=10.4...11.6B; Z_ZT(I_Z=5_MA)<20OM

A

nc

K

Y10

BZX84C27

ALLEG

DZ

V_Z(I_ZT=2_MA)=25.1...28.9B; I_L(V_R=21.0B)<0.05мкА; Z_ZT(I_ZT=2_MA)<80O_M

A

nc

K

Y10

BZX84C27

CENTS

DZ

V_Z(I_ZT=2_MA)=25.1...28.9B; I_L(V_R=18.9B)<0.05мкА; Z_ZT(I_ZT=2_MA)<80O_M; I_ZM<9мА

A

nc

K

Y10

BZX84-C27

PHIL

DZ

V_Z(I_ZT=2_MA)=25.1...28.9B; I_L(V_R=18.9B)<50нА; Z_ZT(I_ZT=2.0_MA)<80O_M; I_ZM=200мА

A

nc

K

Y10

BZX84C27

VISH

DZ

V_Z(I_ZT=2_MA)= 25.1...28.9B; Z_ZT(I_Z=2_MA)<80OM

A

nc

K

Y11

BZX84C30

ALLEG

DZ

V_Z(I_ZT=2_MA)=28.0...32.0B; I_L(V_R=18.9B)<0.05мкА; Z_ZT(I_ZT=2_MA)<80O_M

A

nc

K